Intel presentó el lunes su hoja de ruta de innovaciones en procesos y empaquetado para impulsar la próxima ola de productos desde el año 2025 en adelante, junto a un cambio en la nomenclatura para los nodos de proceso.
“Basándonos en el liderazgo incuestionable de Intel en empaquetado avanzado, estamos acelerando nuestra ruta de innovación para asegurarnos que para el 2025 vayamos por un camino claro hacia el liderazgo en el rendimiento de procesos”, dijo el CEO de Intel, Pat Gelsinger, durante el webcast global “Intel Accelerated”.
La industria reconoce desde hace tiempo que la denominación tradicional de los nodos de proceso basados en el nanómetro dejó de coincidir con la métrica de la longitud real de 1997. Por eso, Intel presentó una nueva estructura de nombres para sus nodos de proceso, con lo que creará un marco claro y congruente para brindar a los clientes una visión más precisa en toda la industria. Esta claridad es más importante que nunca con el lanzamiento de los servicios de manufactura de Intel (IFS, por sus siglas en inglés).
Los especialistas de Intel describieron la siguiente hoja de ruta con los nuevos nombres de nodos y las innovaciones que habilitan a cada caso:
Ofrece un aumento de rendimiento por vatio de aproximadamente 10% a 15% sobre Intel 10nm SuperFin con base en optimizaciones de transistores FinFET. Intel 7 se incluirá en productos como Alder Lake para clientes en 2021 y Sapphire Rapids para el centro de datos, que se espera que esté en producción en el primer trimestre de 2022.
Adopta completamente la litografía EUV para imprimir características increíblemente pequeñas con luz de longitud de onda ultracorta. Con un aumento de rendimiento por vatio de aproximadamente 20%, así como mejoras de área, Intel 4 estará listo y en producción para el segundo semestre de 2022 en productos que se entregarán en 2023, incluido Meteor Lake para clientes y Granite Rapids para centros de datos.
Aprovecha aún más las optimizaciones de FinFET y un mayor EUV para ofrecer un aumento de rendimiento por vatio de aproximadamente 18% sobre Intel 4, junto con mejoras de área adicionales. Intel 3 estará listo para comenzar a fabricarse en productos durante el segundo semestre de 2023.
Marca el comienzo de la era ángstrom con dos tecnologías innovadoras: RibbonFET y PowerVia. RibbonFET, la implementación de Intel de un transistor de compuerta envolvente será la primera nueva arquitectura de transistores de la empresa desde que fue pionera con los FinFET en 2011, brindando velocidades de conmutación de transistores más rápidas, mientras logra la misma corriente de impulso que múltiples aletas en un espacio más pequeño. PowerVia es la primera implementación de Intel en la industria de suministro de energía en la parte posterior que optimiza la señal de transmisión al eliminar la necesidad de enrutamiento de energía en la parte frontal de la oblea.
A partir del 2025: Más allá de Intel 20A, Intel 18A ya está en desarrollo y se prevé que se lanzará a principios de 2025 con mejoras en RibbonFET que brindarán otro salto importante en cuanto al rendimiento de los transistores. Intel también trabaja para definir, construir e implementar EUV de Alta NA de próxima generación, y espera recibir la primera herramienta de producción en la industria de EUV
de Alta NA. Intel tiene una alianza estrecha con ASML para asegurar el éxito de este avance en la industria más allá de la generación actual de EUV.
Intel ha anunciado que Amazon Web Service será el primer cliente en utilizar las soluciones de empaquetado de Intel Foundry Services (IFS), al tiempo que ha proporcionado nuevos datos sobre la hoja de ruta de empaquetado avanzado de la compañía.
Sapphire Rapids será el primer producto para centro de datos de Xeon que se comercializará a gran volumen con EMIB (puente integrado de interconexión de múltiples matrices). También será el primer dispositivo del sector del tamaño de una retícula doble, que ofrecerá casi el mismo rendimiento que un diseño monolítico. Además de Sapphire Rapids, la próxima generación de EMIB pasará de un bump pitch de 55 micras a 45 micras.
Por su parte, Meteor Lake será la implementación de segunda generación de Foveros en un producto para cliente y cuenta con un bump pitch de 36 micras, tiles que abarcan varios nodos tecnológicos y un rango de potencia de diseño térmico de 5 a 125 W.
Foveros Omni marca el inicio de la próxima generación de la tecnología Foveros al proporcionar flexibilidad con la tecnología de apilamiento 3D de rendimiento para la interconexión ‘die-to-die’ y los diseños modulares. Foveros Omni permite la desagregación del ‘die’, mezclando múltiples ‘dies’ superiores con múltiples ‘dies’ base a través de nodos de fabricación mixtos. Se espera que esté listo para la fabricación en volumen en 2023.
Foveros Direct pasa a la unión directa de cobre con cobre. Habilita bump pitches por debajo de las 10 micras, proporcionando un aumento del orden de magnitud en la densidad de interconexión para el apilamiento en 3D, y abriendo nuevos conceptos para la partición funcional del ‘die’ que antes eran inalcanzables. Foveros Direct es complementario a Foveros Omni y también se espera que esté listo en 2023.
Desde 1986 despuntando el vicio por los fichines. Playland, Sacoa y Fascination fueron mi Jardín de Infantes; la Primaria la hice con el Dinacom y el Family Game; la Secundaria se dividió entre Sega Megadrive y PC. Hoy, la PlayStation 4 es mi mujer y Xbox One, mi amante. Un fundamentalista de los esports.
